自從內(nèi)存規(guī)格由SDRAM轉(zhuǎn)移到DDR以來(lái)，DDR內(nèi)存已經(jīng)經(jīng)歷了3代，目前最新的內(nèi)存就是DDR3，頻率也由當(dāng)初的133MHZ到現(xiàn)在的1600MHZ。在摩爾定律的指引下，DDR內(nèi)存頻率還在節(jié)節(jié)攀升。

　　顯卡性能有一項(xiàng)重要的指標(biāo)就是顯卡顯存，顯存的規(guī)格也有DDR1、DDR2、DDR3，有很多菜鳥(niǎo)會(huì)把DDR3內(nèi)存和GDDR3顯存混為一談。那到底他們之間是什么關(guān)系呢，筆者就從他們的定義給大家做個(gè)全面的分析。

　　一、GDDR3顯存是GDDR2顯存的升級(jí)版

　　GDDR3是GDDR2顯存的升級(jí)換代產(chǎn)品，前者擁有更高的工作頻率和更好的工藝，當(dāng)然也就擁有了更好的性能。GDDR3相對(duì)比GDDR2而言依然有他的弱點(diǎn)，GDDR3采用的是單端設(shè)計(jì)，并沒(méi)有分開(kāi)數(shù)據(jù)輸入和寫出通道。此外，GDDR3采用了基于電壓的“偽開(kāi)漏”界面技術(shù)（pseudo-open drain）。 唯一相同的就是他們的工作電壓是一樣的，使用了1.8V標(biāo)準(zhǔn)電壓。

　　GDDR3顯存具備目前業(yè)界最高的顯存工作頻率，而耗能卻很低。同時(shí)，配備GDDR 3需要的配件更少，約束條件也更低。綜合這些優(yōu)點(diǎn)，NVIDIA的合作商們?cè)趩⒂肎DDR3后，將為消費(fèi)者提供性能更加出色、價(jià)格更低的顯卡產(chǎn)品。

　　二、DDR3是DDR2的更新?lián)Q代產(chǎn)品

        DDR3擁有比DDR2更低的工作電壓從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預(yù)讀升級(jí)為8bit預(yù)讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會(huì)從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個(gè)內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。相對(duì)于DDR2內(nèi)存的4bit預(yù)取機(jī)制，DDR3內(nèi)存模組最大的改進(jìn)就是采用了8bit預(yù)取機(jī)制設(shè)計(jì)，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz，當(dāng)DRAM內(nèi)核工作頻率為200MHz時(shí)，接口頻率已經(jīng)達(dá)到了1600MHz。而當(dāng)DDR3內(nèi)存技術(shù)成熟時(shí)，將會(huì)有實(shí)力強(qiáng)大的內(nèi)存廠商推出更高頻率的產(chǎn)品，初步估計(jì)屆時(shí)將會(huì)出現(xiàn)DDR3-2000甚至2400的高速內(nèi)存。除了預(yù)取機(jī)制的改進(jìn)，DDR3內(nèi)存還采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。此外，DDR3內(nèi)存將采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，并將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。

        在性能方面，DDR3內(nèi)存將擁有比DDR2內(nèi)存好很多的帶寬功耗比(Bandwidth per watt)，對(duì)比現(xiàn)有DDR2-800產(chǎn)品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分別為0.72X、0.83X及0.95X，不單內(nèi)存帶寬大幅提升，功耗表現(xiàn)也好了很多。