2015年三星新一代旗艦三星GALAXY S6和GALAXY S6 EDGE發(fā)布，憑借超一流的硬件配置和出色做工贏得國(guó)外媒體的一致叫好，撇開(kāi)其他的地精配置不談，細(xì)心的朋友注意到，此次三星GALAXY S6和GALAXY S6 EDGE采用的是最新的LPDDR4技術(shù)。

　　對(duì)于LPDDR4技術(shù)，不了解手機(jī)知識(shí)的朋友可能不了解，這里百事網(wǎng)就LPDDR4和前一代LPDDR3做一個(gè)簡(jiǎn)單介紹。

　　什么是LPDDR?

　　LPDDR全稱是low power double data rate的縮寫，中文直譯是低功耗雙重?cái)?shù)據(jù)比率，也就是實(shí)現(xiàn)低功耗指定的內(nèi)存同其他設(shè)備的數(shù)據(jù)交換標(biāo)準(zhǔn)，專門用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。目前市場(chǎng)上主流的是第三代，叫做LPDDR3，此次三星GALAXY S6&S6 EDGE使用的是14年最新一代LPDDR4技術(shù)，同LPDDR3相比，新的LPDDR4提升是否顯著，我們一起看看LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4在時(shí)鐘頻率，工作帶寬和工作電壓方面的詳細(xì)對(duì)比，如下圖

　　帶寬更大 ：與LPDDR3相比，LPDDR4能夠帶來(lái)高達(dá)50%的性能提升。由于帶寬更大，“內(nèi)存敏感型”的游戲應(yīng)用、120fps慢動(dòng)作視頻、以及2K或4K級(jí)別的視頻錄制將直接受益。當(dāng)運(yùn)行一些大量占用RAM的應(yīng)用時(shí)，由于需要將大量數(shù)據(jù)在短時(shí)間內(nèi)存入RAM，此時(shí)LPDDR4的優(yōu)勢(shì)便可以體現(xiàn)出來(lái)。

　　功耗更低 ：值得一提的是，LPDDR4在提升了速度的同時(shí)，還將工作電壓降低到1.1V，而LPDDR3為1.2V，繼續(xù)增強(qiáng)了手機(jī)續(xù)航能力。

　　頻率更高 ：CPU支持度方面，目前僅有高通驍龍810芯片和三星Exynos 7420芯片支持LPDDR4內(nèi)存，這意味著全球僅少數(shù)幾款高端手機(jī)才能夠享受到LPDDR4內(nèi)存的快感。

　　三星GALAXY S6&S6 EDGE使用的LPDDR4性能如何？

　　安卓旗艦智能手機(jī)三星Galaxy S6和S6 edge選用了頻率高達(dá)1552 MHz的LPDDR4內(nèi)存，三星S6和S6edge搭載的Exynos 7420處理器還使用了32位雙通道芯片設(shè)計(jì)，使得其最終工作帶寬達(dá)到了最佳的24.8GB/s。