采用TLC閃存的iphone 6 64GB會(huì)針對(duì)磁盤系統(tǒng)進(jìn)行快速存取優(yōu)化，只要開啟顯存使用的App，當(dāng)系統(tǒng)進(jìn)行拷貝時(shí)會(huì)使用系統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行暫存，以提升TLC寫入的系統(tǒng)性能，甚至出現(xiàn)了TLC閃存顆粒的iPhone 6 64GB進(jìn)行拷貝時(shí)，性能表現(xiàn)超越了MLC顆粒的版本，最高寫入速度高達(dá)207MB/s。

　　不過，數(shù)據(jù)文件超過400MB以后，其系統(tǒng)性能就會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的下降，前臺(tái)應(yīng)用甚至?xí)霈F(xiàn)延遲或者閃退的情況。如果采用TLC閃存的iPhene 6 64GB開啟了多個(gè)消耗系統(tǒng)內(nèi)存的App，磁盤性能下降問題會(huì)更明顯，因?yàn)榇疟P系統(tǒng)會(huì)根據(jù)內(nèi)存使用情況分配快速存取硬盤的可用容量。

　　另一方面，采用MLC閃存的iPhone 6 64GB進(jìn)行文件拷貝時(shí)，系統(tǒng)內(nèi)存并沒有針對(duì)磁盤進(jìn)行快速存取，但整體表現(xiàn)比較平均。其中，以采用TOSHIBA(東芝)MLC顆粒的性能最佳，最高寫入速度達(dá)到79.2MB/s，HYNIX(海力士)MLC顆粒就要差一些，最高只有70.2MB/s。

　　此外，和TLC不同的是，采用MLC顆粒的iPhene 6 64GB進(jìn)行文件拷貝時(shí)，系統(tǒng)內(nèi)存使用的情況并沒有太多變化，也沒有因?yàn)榭截惔笪募懭胨俣却蠓陆担芭_(tái)應(yīng)用在拷貝時(shí)保持穩(wěn)定，沒有出現(xiàn)延遲或閃退的情況。