什么是內存雙通道?

    答:隨著高端處理器的推出，處理器對內存系統的帶寬要求越來越高，內存帶寬成為系統越來越大的瓶頸.內存廠商只要提高內存的運行頻率，就可以增加帶寬，但是由于受到晶體管本身的特性和制造技術的制約，內存頻率不可能無限制地提升，所以在全新蹬內存研發出來之前，雙通道內存技術就成了一種可以有效地提高內存帶寬的技術。它最大的優勢在于只要更改內存的控制方式，就可以在現有內存的基礎上帶來內存帶寬的提升。

     從理論指標來看，雙通道內存技術具有相當的優勢。雙通道DDR400的理論帶寬為6 4GB/s，和英特爾的前端總線為800MHz的P4處理器及i865、i875芯片組完全匹配。前端總線為800MHz的P4平臺選用雙通道DDR400，與雙通道的內存控制和管理機制及高帶寬有很大關系。

     雙通道內存技術原理?

     答:雙通道內存技術其實就是雙通道內存控制技術，它能有效地提高內存總帶寬，從而適應新的微處理器的數據傳輸、處理的需要。雙通道DDR有兩個64bit內存控制器，雙64bit內存體系所提供的帶寬等同于一個128bit內存體系所提供的帶寬。

    雙通道體系包含了兩個獨立的、具備互補性的智能內存控制器，兩個內存控制器都能夠并行運作。例如，當控制器B準備進行下一次存取內存的時候，控制器A就在讀/寫主內存，反之亦然。兩個內存控制器的這種互補“天性”可以讓有效等待時間縮減50%，因此雙通道技術使內存的帶寬翻了一翻。它的技術核心在于：芯片組（北橋）可以在兩個不同的數據通道上分別尋址、讀取數據，RAM可以達到128bit的帶寬。