DDR3內存自從2007年服役以來，至今已經走過了9個年頭， DDR4內存標準規范在2012年9月底正式公布，在2014年Intel的Haswell-E處理器及X99平臺，率先為桌面平臺帶來了原生DDR4內存支持，2015年的Intel Skylake平臺主要支持DDR4，DDR4的普及已成趨勢。

skylake平臺

  DDR4和DDR3內存有什么不同？如今DDR4開始大肆進入我們的視野，相比于DDR3， DDR4在外觀、性能、功耗幾個部分有明顯的變化。

  1、DDR4內存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀，防呆口更為靠近中央。

  2、DDR4內存頻率提升明顯，可達4266MHz。

  3、DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低。

  4、DDR4內存容量提升明顯，可達128GB。

外觀變化：

  一直一來，內存的金手指都是直線型的，而DDR4將內存下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證DDR4內存的金手指和內存插槽觸點有足夠的接觸面，確保信號傳輸穩定，同時中間凸起的部分和內存插槽產生足夠的摩擦力穩定內存，也可以解決DDR3內存難以拔出和難以插入的情況。

  另外，金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面，普通DDR4內存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。

頻率和帶寬提升巨大

  DDR4最重要的變化當然是提高頻率和帶寬。在DDR3時代傳輸速度最高到2133MHz不等；而DDR4的傳輸速度從2133MHz起，并且可以達到4266MHz。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。

更低功耗更低電壓

  DDR4內存采用了溫度補償自刷新（主要用于降低存儲芯片在自刷新時消耗的功率)、數據總線倒置（用于降低VDDQ電流，降低切換操作）等新技術。這些技術能夠降低DDR4內存在使用中的功耗。目前DDR4使用20nm以下的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V。而隨著工藝進步、電壓降低以及聯合使用多種功耗控制技術的情況下，DDR4的功耗表現將是非常出色的。

容量劇增最高可達128GB

  3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術是DDR4內存中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆芯片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術后，單條內存的容量最大可以達到DDR3產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。

  DDR4相比DDR3提升了頻率和帶寬等一系列硬件參數，在提升性能的同時降低了能耗，為移動設備提供了更好的支持，在intel新的平臺的支持和推動下，DDR4的應用場景也變得更加廣闊。如今阻止DDR4普及的也就只剩下價格方面了，但隨著時間的推移DDR4遲早也會像DDR3一樣來到各位用戶的身邊。