占領市場多年的DDR3內存，以及去年開始普及且性能更強的DDR4內存，這就如同曾經DDR2向DDR3過渡，新一代處理器平臺為了適應這新老交替的過渡的階段，同時集成了雙控制器，可分別兼容DDR3和DDR4內存。好了，進入正題，內存ddr4和ddr3的區別是什么？下面武林網來科普一下。

DDR3與DDR4外觀上的區別：

DDR3與DDR4外觀上的區別

  仔細觀察，我們發現DDR4內存金手指變的彎曲了，并沒有沿用以往的直線設計。這樣做是為了改善以往平直的內存條在插拔時，摩擦力較大，有的時候會遇到難以插拔的情況。DDR4內存將下部設計為中間稍突出、邊緣變短的形狀，中央到邊緣平滑曲線過渡。此外，中間的“缺口”位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面，普通DDR4內存有284個，而DDR3則是240個，當然我們沒必要去數這個，記住DDR4內存金手指是彎曲的就可以了。

  下面再說說它們的參數差異：

  DDR4在使用了3DS堆疊封裝技術后，單條內存的容量最大可以達到DDR3內存的8倍之多。好比目前常見的單條8GB容量的DDR3（單顆芯片512MB，共16顆），DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。而電壓方面，DDR4使用低于20nm的工藝來制造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低，因此功耗更低。

  頻率和位寬決定了內存帶寬，帶寬越高內存性能就越強。DDR3內存傳輸速率最高到2800MHz（超頻的除外）；而DDR4的傳輸速度從2133MHz起，最高可達4266MHz。很明顯DDR4內存能夠達到的帶寬更高。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70％。

  此外還有一個重要參數就是內存的時序。一般在內存條的SPD中，數字“11-11-11-28”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（簡稱CL值）是內存CAS延遲時間，RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間; RAS Precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈沖預充電時間; Row Active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。

  常見的DDR3 1600的內存基本新裝的電腦都會使用的內存，時序分別是9-9-9-24，11-11-11-28也是很長見的。隨著內存的頻率越高時序也會有不同程度的提升，在DDR時代1G的默認時序一般是3-3-3-8，到現在最新的DDR4時序已經升到了16-16-16-35。在同樣頻率設定下，14-14-14-34這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比16-16-16-35更高的內存性能，幅度在3-5%。

  以上就是武林網分享的內存ddr4和ddr3的區別，希望能夠幫助到你。

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