鎂光D9HNL芯片特寫
　　Micron DDR2內(nèi)存顆粒主要分為早期的大D9（Fat D9）系列和現(xiàn)在的小D9系列。大D9采用的是110nm的工藝，芯片尺寸看起來偏胖。大D9芯片的獨到之處并不在于它可以提升到很高的頻率，更重要的是它在高頻率下的超低延遲參數(shù)。隨著Micron轉(zhuǎn)換了生產(chǎn)工藝，大D9顆粒早已經(jīng)停產(chǎn)，取代它的是小D9芯片，比起大D9制造成本更低，超頻能力也是非常強悍。

鎂光D9GMH芯片特寫
　　Micron（鎂光）小D9芯片系列中當屬D9GKX、D9GMH和D9GCT最好超，繼承了大D9的在高電壓下的高頻率以及低時序的傳統(tǒng)特性。其中又以D9GKX和D9GMH比較出眾，默認電壓超頻D9GKX小幅領(lǐng)先，但是D9GMH可以工作在2.6V甚至2.8V的電壓下。

鎂光6ND22 D9GMH芯片
　　鎂光DDR2內(nèi)存芯片編號非常特別，封裝上的編碼并不是正規(guī)編號，而是一個特定編碼，即使在官方網(wǎng)站上也不容易查到詳細信息，因此查詢起來非常費勁。以6ND22 D9GMH芯片為例，6ND22中的“6”代表06年生產(chǎn)，“N”代表一年中的奇數(shù)周（M則代表偶數(shù)周）。D9GMH是鎂光早期DDR2-667芯片，當然由于鎂光顆粒超頻性能非常好，經(jīng)常被模組廠拿來超頻后當DDR2-800/ DDR2-1066賣。

主流內(nèi)存顆粒規(guī)格表
　　鎂光D9HNL也是DDR2-667型號，不過顆粒采用70nm工藝，適合做單條2GB規(guī)格，但超頻性能不如D9GMH。鎂光D9GKX是默認DDR2-800頻率的型號，CL延遲參數(shù)為5-5-5。