內(nèi)存延遲是什么以及對內(nèi)存性能的影響介紹

2020-10-26 22:19:58

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供稿：網(wǎng)友

我想大家在夠沒或使用內(nèi)存條的時候可能更為關(guān)注內(nèi)存的容量大小，比如1G的內(nèi)存與2G的內(nèi)存，大家都知道這一點很重要。但是決定內(nèi)存性能的不僅僅只有容量，事實上還有很多的參數(shù)，而本文所要介紹的內(nèi)存延遲就是其中之一。

如果您細(xì)心的話應(yīng)該可以在內(nèi)存條的包裝以及內(nèi)存身上的貼紙或者絲印上發(fā)現(xiàn)一排數(shù)字，比如9-9-9-25這樣由4段數(shù)字組成，一些經(jīng)銷商或許也向您提到過內(nèi)存的這一參數(shù)。那么疑問來了：內(nèi)存延遲是什么？對內(nèi)存的性能影響有多大呢？

內(nèi)存延遲定義：表示系統(tǒng)進(jìn)入數(shù)據(jù)存取操作就緒狀態(tài)前等待內(nèi)存響應(yīng)的時間，它就是由上面提到的那4段數(shù)字來表示：9-9-9-25，沒段數(shù)字代表著不同的含義，其中：

第一個數(shù)字所代表的是內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)所需要的延遲時間（CAS Latency，通常簡稱為CL值）
第二個數(shù)字表示內(nèi)存行地址到列地址的延遲時間（tRCD）
第三個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間（tRP），也就是內(nèi)存從結(jié)束一個行訪問到重新開始的間隔時間
第四個數(shù)字表示內(nèi)存行地址控制器激活時間（tRAS）

當(dāng)然，較小的延遲時間當(dāng)然是一件好事，但是目前內(nèi)存已經(jīng)進(jìn)入到DDR3時代，速度飆升啊，此時的內(nèi)存延遲對性能的影響已經(jīng)到了可以忽略不計了，很多的相關(guān)測試中一些較低延遲內(nèi)存的成績有時都沒高延遲的出色。

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