FBD即Fully-buffer DIMM(全緩存模組技術(shù))，它是一種串行傳輸技術(shù)，可以提升內(nèi)存的容量和傳輸帶寬.是Intel在DDR2、DDR3的基礎(chǔ)上發(fā)展出來的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構(gòu)，既可以搭配現(xiàn)在的DDR2內(nèi)存芯片，也可以搭配未來的DDR3內(nèi)存芯片。FB-DIMM可以極大地提升系統(tǒng)內(nèi)存帶寬并且極大地增加內(nèi)存最大容量。

　　FB-DIMM技術(shù)是Intel為了解決內(nèi)存性能對(duì)系統(tǒng)整體性能的制約而發(fā)展出來的，在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了跨越式的性能提升，同時(shí)成本也相對(duì)低廉。在整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存可謂是決定整機(jī)性能的關(guān)鍵因素，光有快的CPU，沒有好的內(nèi)存系統(tǒng)與之配合，CPU性能再優(yōu)秀也無從發(fā)揮。這種情況是由計(jì)算機(jī)原理所決定的，CPU在運(yùn)算時(shí)所需要的數(shù)據(jù)都是從內(nèi)存中獲取，如果內(nèi)存系統(tǒng)無法及時(shí)給CPU供應(yīng)數(shù)據(jù)，CPU不得不長時(shí)間處在一種等待狀態(tài)，硬件資源閑置，性能自然無從發(fā)揮。

　　與現(xiàn)有的普通DDR2內(nèi)存相比，F(xiàn)B-DIMM技術(shù)具有極大的優(yōu)勢:在內(nèi)存頻率相同的情況下目前能提供四倍于普通內(nèi)存的帶寬，并且能支持的最大內(nèi)存容量也達(dá)到了普通內(nèi)存的24倍，系統(tǒng)最大能支持192GB內(nèi)存。FB-DIMM最大的特點(diǎn)就是采用已有的DDR2內(nèi)存芯片(以后還將采用DDR3內(nèi)存芯片)，但它借助內(nèi)存PCB上的一個(gè)緩沖芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高級(jí)內(nèi)存緩沖)將并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)流，并經(jīng)由類似PCI Express的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)高速串行總線將數(shù)據(jù)傳輸給處理器。