DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存有以下5方面不同：

一、頻率和電壓

在頻率方面，DDR4內(nèi)存的工作頻率將從2133MHz 起跳，最高甚至可以達(dá)到4266MHz。這個(gè)頻率相比DDR3 內(nèi)存有相當(dāng)大的提升。
在電壓方面，DDR3 內(nèi)存的工作電壓為1.5V，而DDR4內(nèi)存的工作電壓將近一步的降低，預(yù)計(jì)最低可以做到1.2V。

二、傳輸機(jī)制

相對(duì)于DDR3，DDR4的一大改進(jìn)就體現(xiàn)在信號(hào)傳輸機(jī)制上。它擁有兩種規(guī)格:除了可支持Single-endedSignaling信號(hào)( 傳統(tǒng)SE信號(hào))外，還引入了DifferentialSignaling( 差分信號(hào)技術(shù) )技術(shù)。

三、訪問(wèn)機(jī)制

對(duì)于DDR3內(nèi)存來(lái)說(shuō)，目前數(shù)據(jù)讀取訪問(wèn)的機(jī)制是雙向傳輸。而在DDR4內(nèi)存中，訪問(wèn)機(jī)制已經(jīng)改為了點(diǎn)對(duì)點(diǎn)技術(shù)，這是DDR4整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的關(guān)鍵性設(shè)計(jì)。
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)相當(dāng)于一條主管道只對(duì)應(yīng)一個(gè)水箱（這種機(jī)制的改變其實(shí)并不會(huì)對(duì)傳輸速度產(chǎn)生太大的影響，因?yàn)橹鞴艿赖拇笮〔](méi)有改變），這樣設(shè)計(jì)的好處可以大大簡(jiǎn)化內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)、更容易達(dá)到更高的頻率。

四、封裝技術(shù)

DDR4內(nèi)存采用3DS封裝技術(shù)，3DS（3-Dimensional Stack，三維堆疊）技術(shù)是DDR4內(nèi)存中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，它用來(lái)增大單顆芯片的容量。
在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到目前產(chǎn)品的8倍之多。

五、外觀

DDR3內(nèi)存金手指是240個(gè)，內(nèi)存金手指是平直的；而DDR4內(nèi)存金手指是284個(gè)，內(nèi)存金手指呈彎曲狀。