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bios里面各參數的中英文對照

2020-10-15 20:47:41
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來源:轉載
供稿:網友

很多新手朋友們都不知道Bios里面各參數的意思,于是,本文整理了中英文對照,大家可以參考下

Above1MBMemoryTest:設置開機自檢時是否檢測1M以上內存。該選項已經在新的BIOS中被淘汰。由于內存價格暴跌,電腦用戶安裝內存容量陡然增加,開機時的大容量內存自檢時間太長,今后,即使一遍的內存檢測可能也會出現允許/禁止開關。

AutoConfiguration:設置為允許時,BIOS按照最佳狀態設置。BIOS可以自動設置內存定時,因此會禁止一些對內存設置的修改,建議選擇允許方式。

MemoryTestTickSound:是否發出內存自檢的滴嗒聲。如果您閑它煩,可以關閉它們。

MemoryParityErrorCheck:設置是否要設置內存奇偶校驗。多在30線內存條使用時代,已經被淘汰。但把非奇偶校驗內存強行進行奇偶校驗設置會使電腦無法開機。

CacheMemoryController:是否使用高速緩存。不在流行的AwardBIOS中使用。

ShadowRAMOption:設置系統BIOS或顯示卡BIOS是否映射到常規內存中。可以加快速度,但也可能造成死機。

InternalCacheMemory:是否使用CPU內部緩存(一級緩存)。可以提高系統性能。

ExternalCacheMemory:是否使用CPU外部緩存(主板上的二級緩存)。可以提高系統性能。AMD新的具有兩級緩存的CPU的出現,使主板上的二級緩存退居成三級緩存。

ConcurrentRefresh:直譯是同時發生的刷新。設置CPU在對其它I/O操作時對內存同時刷新,可以提高系統性能。

DRAMReadWaitState:設置CPU從內存讀數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。

DRAMWriteWaitState:設置CPU向內存寫數據時的等待時鐘周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。

SlowRefresh:對質量好的內存,保持數據的時間比較長,可以設置更長的時間周期,從而提高系統性能。

ShadowCachecable:把映射到常規內存的BIOSROM增加高速緩存,使性能更進一步。

PageMode:使內存工作于PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter:使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因為有可能會超過內存RAS周期,因此采用計數器來監視RAS周期,一旦超過RAS周期,則將周期自動復位為0。

MemoryRelocation:內存重新定位。即將384的上位內存(UpperMemoryBlock)數據轉儲到1MB以上的擴展內存中。

MemoryHole:有人稱作內存孔洞。把內存地址15MB-16MB的區域留給一些特殊的ISA擴展卡使用,可以加速該卡工作速度或避免沖突。一般被設置成禁止,除非ISA擴展卡有專門的說明。

DRMATimingSetting:快頁內存或EDO內存速度設置,通常是60ns或70ns選擇,對10ns或更快的SDRAM內存無效。

FastMAtoRASDelay:設置內存地址(MemoryAddress)到內存行地址觸發信號(RAS)之間的延遲時間。

DRAMWriteBrustTiming:CPU把數據寫如高速緩存后,再寫如內存的延遲時間。

FastRASToCASDelay:行地址觸發信號到列地址觸發信號之間的延遲時間。通常是RAS#下降到CAS#下降之間的時間。

DRAMLead-OffTiming:CPU讀/寫內存前的時間。

DRAMSpeculativeRead:設置成允許時,讀內存的時間比正常時間提前一個時間周期,可以提高系統性能。

DRAMDataIntegrityMode:選擇內存校驗方式是Parity或ECC。

RefreshRASAssertion:設置內存的行地址刷新時間周期,對質量好的內存可以延遲刷新,從而提高系統性能。

RASRechargePeriod:內存行地址信號預先充電所需要的時間。

FastEDOPathSelect:設置選擇對EDO內存讀/寫的快速途徑,可以提高系統性能。

SDRAMRASLatency:設置SDRAM內存的行地址觸發到列地址觸發的時間延遲。

SDRAMRASTiming:設置系統對SDRAM內存的行地址觸發時間,也即刷新時間。

PeerConcurrency:為提高系統并行,使CPU對高速緩存或內存或PCI設備,或PCI的主控信號對PCI外圍設備等等操作同時進行。系統智能越高,同CPU并行的操作越多,性能提高越多。


(責任編輯:VEVB)

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