隨著最新的制程已經進入了1Xnm時代，許多巨頭都將閃存容量進一步增長的實現寄托在了全新的3D堆疊技術上，三星目前應該是在這上面走的最遠的，但這種行業級的科技突破又怎會少了坐擁不少黑科技的Intel呢，今日Intel終于公布了自己的3D NAND閃存。

　　近日，Intel副總裁、非易失性閃存方案事業部總經理Rober Crooke向投資者首次公開展示了Intel 3D NAND閃存。

　　據他透露，Intel 3D閃存使用了32層堆疊(和三星第二代相同)，其中穿了大約40億個孔洞用于垂直互聯，最終做到單內核容量256Gb(32GB)，比普通的2D閃存翻了一番。Intel目前使用的是MLC閃存顆粒，但已經在設計TLC版本的，單內核容量可輕松達到384Gb(48GB)。

　　Intel同時聲稱，他們可以在2毫米的厚度內做到1TB容量，也即是一個SD卡那么大，而兩年后可以實現10+TB容量的固態硬盤。Intel計劃在2015年下半年發布基于3D閃存的固態硬盤，價格會極具競爭力。這種閃存將在Intel、美光合資的美國猶他州工廠生產，使用20+nm工藝，暫時還不是最新的16nm。

　　小編點評：雖然目前固態硬盤普及速度飛快，但是毫無疑問，遠比普通硬盤小的容量一直是普及過程中的最大問題。而通過堆疊技術，可以輕松實現NAND閃存容量倍增，固態硬盤憑借這個直接超越普通硬盤的容量也不是不可能！

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