隨著固態硬盤日趨普及，對速度更快、容量更大的固態硬盤的需求也在增長，當然，前提是尺寸不會增加。

廠商不再采用傳統的二維模式——存儲單元平鋪在硅片上，而是轉向3D NAND技術——存儲單元垂直堆疊在一起，這意味著更小面積的芯片能提供更大的存儲容量。據科技網站Digital Trends報道，市場研究公司Stifel最近進行的研究發現，為生產3D NAND芯片，芯片廠商投入了巨資——這是大規模生產3D NAND芯片的必要步驟。即使在3D NAND芯片投產和銷售多年后，這些投資可能都無法收回。
　　生產3D NAND芯片存在的問題之一是，其復雜程度遠遠高于傳統芯片。研究稱，上一代閃存芯片的生產需要3或4層沉積層，3D NAND芯片則需要120-144層。在已經相當復雜的過程中再增添這么多步驟，出錯的可能性就會大大提高。并非生產出來的每塊芯片都是合格產品，在最初生產成本很高時這會造成巨大損失。由于廠商通常不會披露合格率，要搞清楚廢品造成的損失很困難。
　　三星、英特爾和東芝等公司已經計劃在3D NAND芯片制造方面投入巨額資金。Digital Trends稱，Stifel的研究發現，各大廠商計劃未來數年在制造3D NAND芯片方面投資逾180億美元(約合人民幣1105億元)。即使按計算和芯片制造產業的標準衡量，投資金額也相當高。
　　這對普通消費者會產生什么影響呢？3D NAND芯片將逐漸普及，但是，即使到2018年，它們的供應可能仍然是有限的，價格仍然會很高。這也意味著利用傳統技術生產的閃存芯片因價格較低而仍然有需求。簡而言之，3D NAND不會立即帶來容量更大、價格更低的固態硬盤，因為投資這一技術的企業需要首先收回它們的投資。