武林網(wǎng)訊  接觸過電腦的朋友都清楚電腦內(nèi)存有DDR1、DDR2和DDR3，一般電腦專業(yè)人員稱為一代內(nèi)存、二代內(nèi)存和三代內(nèi)存，這兩年來DDR3內(nèi)存已經(jīng)普及，那么DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存有什么區(qū)別呢？

    1.突發(fā)長度（BurstLength，BL）

　　由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（BurstLength，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bitBurstChop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

　　2.尋址時序（Timing）

　　就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而 DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計(jì)也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和 CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。推薦閱讀：電腦內(nèi)存型號基礎(chǔ)知識

　　3.DDR3新增的重置（Reset）功能

　　重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專門準(zhǔn)備了一個引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當(dāng)Reset命令有效時，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態(tài)，以節(jié)約電力。

　　在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。

　　4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能

　　ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準(zhǔn)引擎（On- DieCalibrationEngine，ODCE）來自動校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

　　5.參考電壓分成兩個

　　在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。

　　6.點(diǎn)對點(diǎn)連接（Point-to-Point，P2P）

　　這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能有一個插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對點(diǎn)（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點(diǎn)對雙點(diǎn)（Point-to-two-Point，P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級內(nèi)存緩沖器）。

　　面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設(shè)備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺式機(jī)而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC 臺式機(jī)領(lǐng)域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預(yù)計(jì)在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(BearLake)，其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預(yù)計(jì)同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。

　　內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel910GL芯片組，僅僅只支持533MHzFSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR266、工作頻率為166MHz的DDR333和工作頻率為200MHz的DDR400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的 Socket939接口的Opteron144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時內(nèi)存的等效頻率將高達(dá)DDR600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR333或 DDR266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR500(某些極品內(nèi)存可以達(dá)到)，而后者更是只有DDR400(完全是正常的標(biāo)準(zhǔn)頻率)，由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。

　　目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。