隨著Intel Core i7系列處理器的發(fā)布，DDR3內(nèi)存終于在全世界玩家前吐氣揚(yáng)眉。在Core i7處理器中，集成了三通道內(nèi)存控制器，并唯一支持DDR3內(nèi)存。DDR3內(nèi)存強(qiáng)大的性能終于得到體現(xiàn)，而各大內(nèi)存廠商也開始大力推廣DDR3內(nèi)存。更大的容量、更高的速度、更低的價(jià)格成為DDR3內(nèi)存普及的重要武器，DDR3代替DDR2的步伐已經(jīng)不可阻擋。 　　DDR3內(nèi)存又有哪些優(yōu)勢(shì)呢?那么DDR3內(nèi)存適合誰(shuí)呢?購(gòu)買DDR3內(nèi)存時(shí)又需要注意點(diǎn)什么呢?

DDR3內(nèi)存頻率提升更高

DDR3內(nèi)存頻率讓人感到非常驚訝，從800MHz起跳，目前已經(jīng)有廠商推出1600MHz的產(chǎn)品。實(shí)際上內(nèi)存有三種不同的頻率指標(biāo)，它們分別是核心頻率、時(shí)鐘頻率和有效數(shù)據(jù)傳輸頻率。核心頻率即為內(nèi)存Cell陣列(Memory Cell Array)的工作頻率，它是內(nèi)存的真實(shí)運(yùn)行頻率;時(shí)鐘頻率即I/O Buffer(輸入/輸出緩存)的傳輸頻率;而有效數(shù)據(jù)傳輸頻率則是指數(shù)據(jù)傳送的頻率。

DDR3內(nèi)存一次從存儲(chǔ)單元預(yù)取8Bit的數(shù)據(jù)，在I/OBuffer(輸入/輸出緩存)上升和下降中同時(shí)傳輸，因此有效的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到了存儲(chǔ)單元核心頻率的8倍。同時(shí)DDR3內(nèi)存的時(shí)鐘頻率提高到了存儲(chǔ)單元核心的4倍。也就是說(shuō)DDR3-800內(nèi)存的核心頻率只有100MHz，其I/O頻率為400MHz，有效數(shù)據(jù)傳輸頻率則為800MHz。

DDR3-2000，比入門級(jí)雙核速度還要高

DDR3內(nèi)存能實(shí)現(xiàn)DDR2內(nèi)存無(wú)法達(dá)到的頻率高度，而且具有更好的超頻能力。一般DDR3-1066內(nèi)存都能超頻至DDR3-1200，PQI鳳凰系列1GB DDR3-1066更是可以達(dá)到DDR3-1600的水平。筆者近日測(cè)試的金士頓 HyperX 1GB DDR3-1800，更是在默認(rèn)1.9V的狀態(tài)下頻率超頻至DDR3-2000，實(shí)現(xiàn)了目前桌面平臺(tái)上最高的內(nèi)存頻率。

傳輸帶寬翻倍/延遲降低

由于DDR3內(nèi)存可以進(jìn)行8Bit預(yù)取首先，因此它給我們帶來(lái)更高的內(nèi)存帶寬。DDR3-1600內(nèi)存，可以提供高達(dá)12.8GB/S的帶寬，如果組成雙通道，則可以提供25.6GB/S的帶寬。而雙通道DDR2-1066內(nèi)存只可以提供17GB/S帶寬。

測(cè)試中Core i7基于DDR3內(nèi)存，Core 2 Duo Q8200基于DDR2-800內(nèi)存

從時(shí)鐘周期來(lái)看看不少玩家認(rèn)為DDR3的延遲比DDR2更為嚴(yán)重，如DDR2-800內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序：5-5-5-18，但DDR3-800內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序則達(dá)到了6-6-6-15、DDR3-1066為7-7-7-20、而DDR3-1333更是達(dá)到了9-9-9-25。事實(shí)上，JEDEC定下的DDR2內(nèi)存延遲時(shí)間均為15ns。

要計(jì)算整個(gè)內(nèi)存的延遲值，還需要把內(nèi)存顆粒運(yùn)行頻率計(jì)算在內(nèi)。如果DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分別為7-7-7、8-8-8及9-9-9，把內(nèi)存顆粒運(yùn)行頻率計(jì)算在內(nèi)，其延遲值應(yīng)為13.125ns(7*1000/533.33)、12.0ns及11.25ns，相比DDR2改善約25%。

DDR3內(nèi)存?zhèn)鬏斞舆t更低

由此看來(lái)，CL和延遲時(shí)間并不能簡(jiǎn)單地相等，CL是指時(shí)鐘周期，如CL=5，表示CL值為5個(gè)周期。而延遲時(shí)間是指一個(gè)存取周期所用的時(shí)間，單位是ns，頻率越高，自然一個(gè)周期所用的絕對(duì)時(shí)間也越短。因此DDR3內(nèi)存的延遲比DDR2降低了不少。

更低工作電壓，更低功耗

除了更高的工作頻率，DDR3內(nèi)存還實(shí)現(xiàn)了更低的工作電壓，以及有效降低了功耗。第一代DDR內(nèi)存的核心電壓達(dá)到2.5V，DDR2降低到1.8V，而DDR3則進(jìn)一步降低到1.5V;此外，I/O Buffer也采用低功耗設(shè)計(jì)，I/O Driver的阻值從DDR2的34歐姆降低到18歐姆。更低的工作電壓有效地控制了DDR3內(nèi)存的發(fā)熱量，這也使得DDR3內(nèi)存的可以達(dá)到更高的頻率。

隨著技術(shù)的不斷成熟，不少長(zhǎng)商在1.5V的標(biāo)準(zhǔn)電壓實(shí)現(xiàn)了更高的頻率。億能更是推出了DDR3-1866內(nèi)存，工作電壓僅1.5V。

哪些玩家需要DDR3內(nèi)存

目前DDR3內(nèi)存的售價(jià)已經(jīng)大幅度下滑，定位主流的1GB DDR3 1066/1333內(nèi)存已經(jīng)跌至300元左右，2GB DDR3 1066/1333則維持在4、5百元價(jià)位。可以看到，盡管價(jià)格已經(jīng)大幅度下跌，但與目前DDR2內(nèi)存還有較大差距。

發(fā)燒超頻玩家

DDR3內(nèi)存可以輕松實(shí)現(xiàn)更高頻率，對(duì)于那些追求極限性能的超頻玩家來(lái)說(shuō)，可以與處理器1：1同步超頻的DDR3內(nèi)存是再適合不過(guò)。Intel的45nm酷睿2處理器最受超頻玩家歡迎，無(wú)論是雙核還是四核都能輕松超頻。外頻更是迅速攀升，隨之而來(lái)1600MHz、2000MHz的前端總線對(duì)內(nèi)存提出更高的要求。

超頻不能少了好內(nèi)存

DDR2內(nèi)存由于無(wú)法達(dá)到如此高的頻率，只能通過(guò)異步工作在較低頻率下，對(duì)整機(jī)性能發(fā)揮影響不少，甚至是影響超頻成功率。而前面提到的金士頓 HyperX 1GB DDR3-1800、億能 2GB XTUNE DDR3-1866，則可以讓超頻玩家盡情超頻。

Core i7平臺(tái)玩家

盡管價(jià)格昂貴，性能強(qiáng)勁的Core i7平臺(tái)還是吸引了不少骨灰級(jí)玩家。而Core i7處理器集成了三通道內(nèi)存控制器，并且唯一支持DDR3內(nèi)存。而根據(jù)最新消息，無(wú)論是Core i7 965 EE還是Core i7 920/940都開放了對(duì)內(nèi)存超頻的限制，也就是說(shuō)玩家可以在Core i7平臺(tái)上使用任意頻率的DDR3內(nèi)存。

當(dāng)然，如果是非超頻玩家，DDR3-1066內(nèi)存即可滿足運(yùn)行Core i7 920/940，而選擇Core i7 965 EE的玩家就需要使用DDR3-1333內(nèi)存了。

DDR3內(nèi)存支持度如何

與DDR3內(nèi)存誕生之初相比，越來(lái)越多的芯片組以及主板廠商推出了響應(yīng)的產(chǎn)品。而隨著技術(shù)的不斷成熟，DDR3內(nèi)存在桌面平臺(tái)上的兼容性也越來(lái)越好。

目前Intel平臺(tái)已經(jīng)全面支持DDR3內(nèi)存，Intel自家的X48/58芯片組，Nvidia的790i Ultra sli芯片組都為DDR3內(nèi)存提供了良好支持。AMD方面，在明年第二季度也會(huì)上市支持DDR3內(nèi)存的AM3系列處理器，以及相應(yīng)的芯片組。

顯然，盡管DDR3內(nèi)存的普及已經(jīng)蓄勢(shì)待發(fā)，但對(duì)于大部分主流消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，DDR3內(nèi)存離他們還很遠(yuǎn)。不過(guò)如果你是一名喜歡嘗新，并且預(yù)算充裕的DIY玩家，那么高性能的DDR3內(nèi)存以及配套平臺(tái)就非常適合你。