內存延遲是指等待對系統內存中存儲數據的訪問完成時引起的延期。根本問題在于處理器 (如英特爾®至強TM處理器) 的主頻接近4 GHz， 而內存芯片速率僅為400 MHz (如DDR 3200內存) —時鐘速度之比為10:1。因此，當處理器需要處于內存高速緩存之外的數據項時，每個周期必須等待10個時鐘周期才能使內存芯片完成數據的提取和發送。通常，這些提取需要檢索多個內存周期，然后需要更長時間通過到處理器的路徑。這就意味著提取數據會占用數百個處理器時鐘周期，在此期間應用不能處理其它任何任務。

內存延遲表示系統進入數據存取操作就緒狀態前等待內存響應的時間，它通常用4個連著的阿拉伯數字來表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四個數中越往后值越大，這4個數字越小，表示內存性能越好。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內存標準組織認為以現在的動態內存技術還無法實現0或者1的延遲。但也并非延遲越小內存性能越高，因為CL-TRP-TRCD-TRAS這四個數值是配合使用的，相互影響的程度非常大，并且也不是數值最大時其性能也最差，那么更加合理的配比參數很重要。

第一個數字最為重要，表示注冊讀取命令到第一個輸出數據之間的延遲(CAS Latency)，即CL值，單位是時鐘周期。這是縱向地址脈沖的反應時間。

第二個數字表示 內存行地址控制器預充電時間(RAS Precharge)，即tRP。指內存從結束一個行訪問到重新開始的間隔時間。

第三個數字表示從內存行地址到列地址的延遲時間(RAS to CAS Delay)，即tRCD。

第四個數字表示內存行地址控制器激活時間Act-to-Precharge Precharge Delay(tRAS)。

選擇購買內存時，最好選擇同樣CL設置的內存，因為不同速度的內存混插在系統內，系統會以較慢的速度來運行，也就是當CL2.5和CL2的內存同時插在主機內，系統會自動讓兩條內存都工作在CL2.5狀態，造成資源浪費。