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內存DDR2和DDR3有什么不同

2019-11-01 00:59:19
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供稿:網(wǎng)友

  DDR3有望明年出世

  速度在不斷飆升!AMD的AM2接口 K8架構處理器引入最高DDR2 800的支持,而Intel也在7月23日發(fā)布了萬眾期待的Conroe處理器并進行史上規(guī)模最大的“恐怖襲擊”;電腦市場似乎在2006年已經提前進入了DDR2 800的極速時代。RD600支持1500Mhz的前端總線超頻,可惜在Computex 2006臺北電腦展上面,RD600似乎“臨時放棄”了DDR3內存的支持,轉為支持DDR2 1066的內存,所以DDR3內存未能在2006年和觀眾們見面。

內存DDR2和DDR3有什么不同 三聯(lián)

  DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓, 從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更為省電;DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀,DDR3目前最高能夠可以達到1600Mhz的速度,由于目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3內存模組將會從1333Mhz的起跳。在 Computex大展我們已經可以看到多個內存廠商展出1333Mhz的DDR3模組了。

  DDR3在DDR2基礎上采用了8bit預取設計;點對點的拓樸架構,以及100nm以下的生產工藝等最新工藝,那么DDR3與DDR2到底有那些不一樣的地方呢?相比DDR2發(fā)燒友和玩家們可以得到哪些性能上的提升呢?

  更靈活的突發(fā)長度

  由于DDR3的預取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop突發(fā)突變模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制

  尋址時序提高

  就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數(shù)增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2~5之間,而DDR3則在 5~11之間,且附加延遲的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0~4,而DDR3時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3 還新增加了一個時序參數(shù):“寫入延遲”,這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

  新增重置功能

  重置是DDR3新增的一項重要功能,并為此專門準備了一個引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時,DDR3內存將停止所有操作,并切換至最少量活動狀態(tài),以節(jié)約電力。

  在Reset期間,DDR3內存將關閉內在的大部分功能,所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關閉,所有內部的程序裝置將復位,DLL與時鐘電路將停止工作,而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來,將使DDR3達到最節(jié)省電力的目的。

  新增ZQ校準功能

  ZQ也是DDR3一個新增的引腳,在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集,通過片上校準引擎來自動校驗數(shù)據(jù)輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。

  當系統(tǒng)發(fā)出這一指令后,將用相應的時鐘周期,在加電與初始化之后用512個時鐘周期,在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期;對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

  電壓分成兩個和點對點連接

  在DDR3系統(tǒng)中,對于內存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號,即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務的VREFDQ,這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級

  這是為了提高系統(tǒng)性能而進行的重要改動,也是DDR3與DDR2的一個關鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中,一個內存控制器只與一個內存通道打交道,而且這個內存通道只能有一個插槽,因此,內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點的關系,或者是點對雙點的關系,從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負載。而在內存模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標準DIMM、SO-DIMM/Micro-DIMM、FB-DIMM2之分,其中第二代FB-DIMM 將采用規(guī)格更高的AMB2高級內存緩沖器。

  DDR3的未來,一片光明

  面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢,此外,由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面也比DDR2要出色得多,因此,它可能首先受到移動設備的歡迎,就像最先迎接DDR2內存的不是臺式機而是筆記本和服務器一樣。

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