Dual-Inline-Memory-Modules,即雙列直插式存儲模塊。這是在奔騰CPU推出后出現的新型內存條，DIMM提供了64位的數據通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內存條。它要比SIMM插槽要長一些，并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。就目前而言，適用DIMM的內存芯片的工作電壓一般為3.3V(使用EDORAM內存芯片的168線內存條除外)，適用于SIMM的內存芯片的工作電壓一般為5V(使用EDORAM或FBRAM內存芯片)，二者不能混合使用。

　　DIMM與SIMM比較

　　DIMM(Dual Inline Memory Module，雙列直插內存模塊)與SIMM(single in-line memory module，單邊接觸內存模組)相當類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多數據信號的傳送需要。同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結構，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒毀;DDR DIMM則采用184Pin DIMM結構，金手指每面有92Pin，金手指上只有一個卡口。卡口數量的不同，是二者最為明顯的區別。DDR2 DIMM為240pin DIMM結構，金手指每面有120Pin，與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口，但是卡口的位置與DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR內存是插不進DDR2 DIMM的，同理DDR2內存也是插不進DDR DIMM的，因此在一些同時具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不會出現將內存插錯插槽的問題。

　　FB-DIMM

　　因為目前的內存主要是采用傳統的64位并行設計，即北橋芯片的內存控制器與內存模塊之間均通過64位的并行總線來數據交換，但此類并行總線設計有一個最大的缺點：就是相鄰線路很容易受到干擾。這是因為目前的DIMM采用一種“短線連接”(Stub-bus)的拓撲結構。在這種結構中，每個芯片與內存控制器的數據總線都有一個短小的線路相連，這樣會造成電阻抗的不連續性，從而影響信號的穩定與完整，頻率越高或芯片顆粒越多，影響也就越大。這也是目前基于此類并行體系的內存如DDR頻率低下的原因。Small Outline Dual Inline Memory Module(縮寫SODIMM):小外形雙列直插式內存模塊