由于筆記本電腦整合性高，設計精密，對于內存的要求比較高，筆記本內存必須符合小巧的特點，需采用優質的元件和先進的工藝，擁有體積小、容量大、速度快、耗電低、散熱好等特性。出于追求體積小巧的考慮，大部分筆記本電腦最多只有兩個內存插槽。 我們把內存的發展分為非標準時代和標準時代。

混亂年代-非標準的天堂

和其它配件一樣，內存的發展也是從臺式機開始的。剛開始的內存都是焊接在主板上的。我們所熟悉的內存條大致是從286時期主板上的內存條開始的，30pin、256K的，而且必須是由4條組成一個bank方可顯示。30pin 、16MB在那時可是稀罕物，價格不菲。而本本的內存出現要晚的多。

1982年11月，Compaq推出第一臺IBM兼容手提計算機，采用的內存為128KB RAM。而真正的筆記本內存是始于486時代的。

那時筆記本適用內存幾乎是千奇百怪，一個品牌、一個機型一種適用內存，因為本身這個時代的機器就帶有摸索和試驗的性質，有的機器更是直接用PCMICA內存卡來做內存。

到了586階段，臺灣廠商的筆記本的產品逐步推廣使用了72pin SO DIMM標準筆記本內存，其實也存在至少4種72pin SO DIMM內存：72pin 5V FPM SO DIMM、72pin 5V EDO 72pin 3.3V FPM SO DIMM、72pin 3.3V EDO SO DIMM。這時的內存大部分和顯卡一樣是焊接在主板上的。

到了Pentium MMX階段，出現了144pin 3.3V EDO SO DIMM標準筆記本內存，也就是我們所說的EDO內存。這種內存需要雙條搭配使用，價格依舊很貴。另外仍然存在一些異類，例如：TOSHIBA的某些機型、臺灣TWINHEAD(倫飛)的8、9系列。

EDO內存

名詞解釋：EDO內存：這種內存主要用于古老的MMX和486機型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內存的工作電壓為5V和現在常用的SDRAM的3.3V相比更費電一些，所以很快就被SDRAM內存所取代。

過渡使者-SDRAM

筆記本經歷了Pentium時代，CPU的速度已經越來越快，這時Intel公司提出了具有里程碑意義的內存技術----SDRAM。，至此，筆記本內存進入完全的標準內存時代。

市場上的標準筆記本用的SDRAM都是144pin的SO-DIMM接口，而大部分PII和PIII本本使用的就是SDRAM內存。SDRAM內存生產商和牌子很多，而且價格相對來講都不是很貴，產品性能區別不大，比較著名的品牌有kingmax,kinghorse,創見等。

單條雙面16片256MB的SDRAM內存

名詞解釋：SDRAM內存：SDRAM的全稱是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態隨即存儲器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號保持與系統時鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內存就可以工作，數據傳輸速度比EDO內存至少快了25%。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規格。

內存中的另類-Micro DIMM接口內存

由于超薄機型和SUB NOTEBOOK的出現，普通的內存無法滿足它們的需要，因此Micro DIMM接口內存應運而生，如SONY 的 SR 系列。MicroDIMM是一種新出現的筆記本內存接口并且很有可能演變成為將來的SUB NOTBOOK的內存接口標準，雖然它也是144Pin 但跟普通的144Pin有很大差別，這種專用內存現在在市場上還很少見。如Sony的C1就是使用的此種內存。

SDRAM Micro-DIMM 144pin

質的飛躍-DDR

DDR SDRAM 顧名思義，Double Data Rate(雙倍數據傳輸)的SDRAM。隨著臺式機DDR內存的推出，現在筆記本電腦也步入了DDR時代，目前有DDR266和DDR333等規格，現在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心賽揚的機器都是采用DDR內存，也有少量的Pentium3-M的機器早早跨入DDR時代。其實DDR的原理并不復雜，它讓原來一個脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個脈沖之內讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣

和下降緣通道都利用上，因此DDR本質上也就是SDRAM。而且相對于EDO和SDRAM，DDR內存更加省電(工作電壓僅為2.25V)、單條容量更加大(已經可以達到1GB)。

NANYA生產的1G DDR筆記本內存條

開始大部分本本都是用的DDR266內存。而2002年，因為INTEL 855GME芯片組的出現首先支持DDR333。而早已經在臺式機上得到普及的DDR400內存也很快會在本本上得到普及。

256M DDR400的三星原廠筆記本內存

更新換代 DDR2

首先，我們從使用平臺和封裝工藝的角度來說說為什么DDR2筆記本內存將成為新的標準。新一代的Sonoma架構由于選用了9XX系列移動芯片組設計，因此增加了對于最新DDR2內存規范的支持，選用DDR2內存規范之后除了可以保證高頻前端總線的穩定運算以外，還可以在能耗方面更加節約。DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于DDR時代廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎?；叵肫餌DR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，DDR已經走到了技術的極限;隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

優異的做工，精致的內存

當然，高性能的背后一定要有尖端的技術作為支持，DDR2筆記本內存技術從研發到應用要比臺式機內存復雜的多。單看這款DDR2-533筆記本內存，從產品的外觀上要比臺式機內存短小的多，這就要求制造廠商需要在很小的PCB板上精密的印刷上密密麻麻的電路，筆記本內存的電氣元件也顯得非常袖珍，據介紹KINGXCON(金士剛)DDR2筆記本內存采用的是0.1微米制程，標準的200針，雙向數據控制針腳。指甲般大小的英飛凌內存顆粒，猶如綠豆大小的SPD，縝密的排列在6層的綠色PCB板，線路也印制的十分清晰。

再說關于延遲的問題，我們知道原來的DDR內存物理性能已近極限，所以無法再提高工作頻率。而DDR2內存剛開始起步，還有很大的提升空間。DDR2內存在大幅提升帶寬的同時，也產生了副面的影響，那就是高延遲。

我們知道DDR2筆記本內存采用與DDR筆記本內存不同的工作電壓，由原來的2.5伏降到了目前的1.8伏，由此能耗方面更加節約。在533MHz頻率下的功耗只有304毫瓦(而DDR在工作電壓為2.5V，在266MHZ下功耗為418毫瓦)這里需要提醒一下大家，由于DDR2內存和DDR內存在供電電壓上存在不同，升級使用時切記注意內存規范，如果選擇全新的SONOMA平臺，只能使用性能更佳的DDR2內存。

談到這里，相信大家對DDR2筆記本內存有了較為理性的了解。新技術的推出，必然有個循序漸近的過程。選擇新標準的DDR2筆記本內存，大幅提升性能的同時，也需要較高的成本投入，不過相信伴隨SONOMA平臺的普及，DDR2筆記本價格下降成為市場主流的日子已經不遠了。在目前品牌相對有限的DDR2筆記本內存領域，KINGXCON(金士剛)的這款DDR2-533產品，以精湛的制造工藝，優秀的產品性能，以及相對低廉的價格，吸引著消費者的眼球，也一定會在日益普及的DDR2筆記本內存市場占有重要的地位。